Az ON Semiconductor és a Growatt az innováció és a versenyképesség élvonalára tör

Annak érdekében, hogy az IGBT-k fotovoltaikus inverterekben való legmegfelelőbb felhasználását felgyorsítsák, a Growatt, és a világhírű IC- és félvezetőgyártó ON Semiconductor, közös laboratóriumi avatási ünnepséget tartottak 2018. június 26-án. David Chow, az ON Semiconductor Asia Pacific elnöke, Liancai Wu, a Growatt elnökhelyetteses és Kutatásfejlesztési igazgatója, Sravan Vanaparthy, az ON Semiconductor tápmodul termékcsoportjának igazgatója, Hector NG, a FAE China igazgatója, valamint Jack Tu, a WPG Holding termékcsoport igazgatóhelyettese vettek részt az ünnepélyes eseményen. A jeles alkalom kapcsán a két fél mélyreható beszélgetéseket folytatott le a fotovoltaikus piacon lezajló változásokról, technikai újításokról és együttműködési lehetőségekről. David Chow, az ON Semiconductor Asia Pacific elnöke felvázolta cége technikai erősségeit és kifejezte azon bővítési szándékát, hogy a jövőben együttműködésre lépjen a Growattal. Liangcai Wu, a Growatt elnökhelyettese és kutatásfejlesztésért felelő igazgatója elmondta, hogy a Growatt a termékminőséget és a technikai újítást tekinti lételemének. A Growattnak hosszútávú befektetései vannak mind a pénzügyi, munkaerőpiaci, a technikai kutatás és minőség-ellenőrzés terén. Technikai szempontból a Growatt szintén nagy hatékonyságú megoldásokkal bír az alap- és közös technológiai alkalmazások vonatkozásában, illetve a jövőben áttörést hozó új technológiák terén. A minőségbiztosítás kapcsán megemlítendő, hogy eddig is minden szinten nagyon szigorú vizsgálatokat folytatott le a Growatt, és a fotovoltaikus inverterei mind minőségi mind technológiai szempontból a nemzetközi élvonalba számítanak. Az ON-nal történő szoros együttműködés tovább erősíti a két fél között kölcsönösen működő technológiai előnyöket biztosító és forrásteremtő, egymást kiegészítő és integráló tevékenységeket, mely igen jelentős mértékben járul hozzá a Growatt termékminőségbiztosításához illetve innovációs fejlesztéseihez. A közösen felállított labor azt a célt szolgálja, hogy lendületet adjon az IGBT gyakorlati alkalmazásának és technológiai kommunikációjának, ezáltal további áttörést biztosítva az élenjáró IGBT technológiák terén, illetve hozzájárulva a még hatékonyabb fotovoltaikus termékek fejlesztéséhez. Ugyanakkor az IGBT inverterek alkalmazását előre áttekinti egyben a termék stabilitást is garantálja szigorú ellenőrzései során. A termékeket az alkalmazási igényeknek megfelelően lehet testre szabni. A laboratóriumnak egy megosztásra kerülő IGBT értékelési platformja és egy IGBT modul értékelési platformja lesz elérhető szimulációra, hőmérsékletemelkedés, nyomás és kettősimpulzus tesztelésekre. Míg a MOSFET értékelési platform kerül alkalmazásra az energiatárolást is biztosító inverterek esetében, a SIC IGBT modul pedig a magas frekvenciájú kapcsolók számára, stb. A kiemelkedő megbízhatóság és a nagyteljesítményű inverterek kutatása és fejlesztése kapcsán IGBT modulok kerülnek bevezetésre, hogy emeljék a fotovoltaikus napelemek megbízhatóságát és hatékonyságát. A közös laboratórium az irányban is erősíti a felek közötti együttműködést, hogy forrásokat osztanak meg egymással, közös technológiai fejlesztést hajtanak végre, és a tehetséggondozás keretein belül csereprogramokat tartsanak fent, s mindeközben új technikai támogatást is nyújtsanak a Growattnak, hogy új, világszínvonalú fotovoltaikus inverterekkel lássák el az energiaipart. A Growatt és az ON Semiconductor közt létrejövő együttműködés új fejezetet nyit a fotovoltaikus inverterek területén azáltal, hogy a termékek és a technológia tökéletes integrációját valósítja meg. A jövőben a Growatt továbbra is folytatja az új fotovoltaikus technológiák felfedezését és technológiai, illetve innovációs áttöréseket kíván elérni, úgy, hogy közben a márka alapvető versenyképességét és minőségi fejlődését tartja szem előtt. További információkért látogassa meg a www.growatt.hu oldalt és vegye fel értékesítőinkkel a kapcsolatot.